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Nb2O5负载Ir催化OER(OH在Ir和Nb位点间迁移,过电位218 mV)
Nb2O5负载Ir催化OER(OH在Ir和Nb位点间迁移,过电位218 mV)

Ir基材料具有较好的催化OER性能。在OER过程中Ir容易被氧化,且与基底的相互作用会影响结构变化和催化性能。因此,本文研究Nb2O5负载Ir催化OER的性能。

 

作者制备了Nb2O5-x负载Ir纳米颗粒催化剂(Ir/Nb2O5-x)。STEM结果表明Ir负载层的厚度约为1 nm。EXAFS结果证明Ir与Nb、O成键,配位数为2。XPS结果证明Ir的引入使得O空位更容易形成,并使Nb的价态降低至+4价。

 

在酸性条件下Ir/Nb2O5-x催化OER的过电位为218 mV,低于未负载Ir纳米颗粒的285 mV,Tafel斜率为52.3 mV/dec,电荷转移电阻为158欧,转换频率为0.95/s,性能105小时保持稳定。

XANES结果表明在反应过程中Ir价态保持稳定,避免过度氧化。在OER过程中与Nb配位的O会转移到Ir周围,形成O空位,而反应过程中产生的O又会填补空位。

 

DFT计算结果表明随着反应的进行OH从Ir位点迁移至Nb位点,当OOH吸附后OH又反向迁移至Ir位点。不考虑OH迁移效应时,Ir/Nb2O5-x催化OER的反应能为1.81 eV,考虑OH迁移后,反应能降低为1.65 eV。

原文链接:https://doi.org/10.1002/anie.202212341

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