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Cu掺杂Bi纳米片催化CO2还原(HCOOH选择性96.1%,分电流1132 mA/cm2)
Cu掺杂Bi纳米片催化CO2还原(HCOOH选择性96.1%,分电流1132 mA/cm2)

虽然Bi基材料具有较好的催化CO2还原产HCOOH的性能,但反应电流较低导致在工业应用方面受限。催化剂在反应过程中的表面重构会导致Bi位点被还原成金属态,不过掺杂对表面重构的影响还不明确。因此,本文研究Cu掺杂Bi纳米片催化CO2还原的性能。

作者以CuS-Bi2S3为前驱体,通过电化学方法制备了Cu掺杂和未掺杂Bi纳米片催化剂(CDB、PMB)。

在碱性条件下CDB催化CO2还原产HCOOH的法拉第效率最高为96.1%,分电流为1132 mA/cm2 (-0.86 V),Tafel斜率为126 mV/dec,电荷转移电阻为2.1欧姆,性能优于PMB且100小时内保持稳定。

DFT计算结果证明CDB催化CO2还原产HCOOH的决速步为CO2吸附,势垒为0.428 eV,低于PMD的0.433 eV,并且对CO和H2的抑制效果更好。CDB的功函数低于PMB,从而有利于向CO2和OCHO的反键轨道输入电子。

XRD和EDX结果表明PMB比CDB更容易在反应过程中演化成Bi2O2CO3。DFT计算结果表明Bi2O2CO3的反应势垒高于CDB。另外,Cu在Bi表面的迁移势垒高达1.12 eV,说明稳定性较好。

原文链接:https://doi.org/10.1002/aenm.202202818

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